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SQ7415EN
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
20
0.8
T J = 150 °C
0.6
I D = 250 μA
10
0.4
0.2
1
T J = 25 °C
0.0
- 0.2
- 0.4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
0.20
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
40
30
20
10
0
0.16
0.12
0.08
0.04
0.00
I D = 5.7 A
0.01
0.1
1
10
100
600
0
2
4
6
8
10
Time (s)
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
S13-1462 Rev. E, 01-Jul-13
4
Document Number: 74488
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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